台湾出張にてDFIより、新しいマザーの情報を聞いてきました。お話を伺ったのはDFI、Product Marketing部のDanny氏です。
OC的に一番興味深かったのはメモリ周りの話です。Danny氏より「DDR400の512MBメモリを4枚挿して2-2-2-5-1Tタイミングを実現する」という話が出た時は驚きました。これは2bankの512MBメモリを4枚、つまり8bankでも1T commandが可能ということです。
そうなると1TでのWinbond系2GB実装OC、Samsung TCCDでの2GB実装OCが可能ではないか？ という期待が沸いてきます。このことを伺ったところ「どの程度のOCが可能かはまだ試してみていない」ということでした。もう発売も近いのでこれは発売後、私たちのお楽しみということですね。
またメモリ電圧のジャンパもなくなっており、回路を変更したということです。これにより2.6V→2.7Vと1V刻みだったメモリ電圧セッティングがさらに細かくできるようになります。2.80→2.82→2.85→2.87というように0.02V、0.03V刻みでの設定が行えるということでした。
それからPCI-Eの幅が広くなっただけでなく6つのパワースイッチ回路により、PCI-Eスロットがいろいろな使い方ができるということです。SLIで2つのVGAを搭載しない場合、複数のPCI-Eスロットを有効に使えるというのですが……この点は今後のPCI-E対応カードの発売状況にもよると思います。
以上の話はどの程度の実現性があるのかは未知数です。実際の動作については今後の当店のテストレポートにご期待ください。
（※追記）コメントでご指摘いただいた電圧の桁を修正しました。
